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三星拟借助先进封装工艺搭配HBM芯片将手机和平板打造为端侧AI超强算力终端

2026-05-24  

  

三星拟借助先进封装工艺搭配HBM芯片将手机和平板打造为端侧AI超强算力终端(图1)

  三星拟借助先进封装工艺搭配HBM芯片,将手机和平板打造为端侧 AI 超强算力终端

  以往高带宽内存(HBM)仅应用于服务器领域,最新消息显示,三星正研发一款独创封装技术,让智能手机与平板电脑也能搭载这款超高速动态随机存取内存芯片。这家韩国巨头此举旨在大幅提升移动设备性能,使其成为强悍的端侧 AI 算力终端。眼下全球内存供不应求,三星借此斩获高额利润,自然不愿错失任何新兴市场机遇。

  三星计划专为手机、平板定制适配版HBM技术,规避传统方案带来的空间占用过大、功耗过高等各类弊端。

  传统移动设备内存采用铜线键合工艺,其输入输出引脚数量仅维持在 128 至 256 个区间,不仅信号损耗严重,也难以进一步提升运行效率、控制设备发热。据韩国《电子新闻》报道,三星计划采用超高纵横比铜柱搭配扇出型晶圆级封装(FOWLP),将HBM内存搭载至手机与平板设备中。该封装工艺已应用于猎户座 2600 等系统级芯片,能够强化芯片耐热能力,提升高负载场景下的持续稳定性能。

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  依托自研垂直铜柱堆叠技术(VCS),三星采用阶梯式堆叠内存晶圆、铜柱填充间隙的设计,在移动设备严苛的体积限制下,顺利实现 HBM 内存小型化落地。

  报道称,三星已将垂直铜柱堆叠封装工艺里铜柱的纵横比,从原有 3-5:1 大幅提升至 15:1~20:1,以此拉高内存带宽,但此举会同步缩小铜柱直径。

  一旦铜柱直径小于 10 微米,极易出现弯折甚至断裂问题,而扇出型晶圆级封装(FOWLP)恰好能解决这一难题。该工艺通过向外延展铜质线路,大幅提升整体结构稳固性,同时增加输入输出引脚数量,助力内存整体带宽再度提升 30%。

  目前该技术仍处于三星研发阶段,移动端 HBM 内存正式商用时间暂未确定。

  按照行业进度推测,这项技术有望率先搭载在猎户座 2800或猎户座 2900 芯片上,其中猎户座 2800 据传是三星首款搭载自研图形处理器的系统级芯片。

  另有消息称苹果也计划为 iPhone 引入 HBM 内存技术,不过暂未确认苹果是否会向三星采购相关技术方案。华为同样在布局同类技术,但外界普遍认为三星大概率不会进入中国本土手机厂商的供应链体系。

  加之当前移动内存价格居高不下,业内认为各大手机PG·电子厂商只会在内存价格企稳后,才会正式评估在终端设备搭载 HBM 芯片的落地可行性。若未来数年内存价格持续处于高位,手机、平板的端侧 AI 性能升级,大概率依旧只能依靠芯片架构与闪存存储优化来实现。

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